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三星就32nm制程闪存芯片质量问题作出回应都是控制芯片惹得祸

发布时间:2020-03-23 11:34:46 阅读: 来源:消毒餐具厂家

昨天我们报导了三星32nm制程NAND闪存芯片存在写入速度过慢的问题,因此遭到各大SSD硬盘厂商的弃用。而Dailytech则就此询问了三星,并 收到了来自三星官方的回复,他们表示:“制程升级的新闪存芯片应当配用新的芯片控制器才能正常工作,如果把我们的32nm制程芯片与质量不佳的旧款芯片控 制器配合在一起,那末固然有可能会出现性能下落的问题。”

目前闪存芯片的基本存储单元均基于floating-gate晶体管结构,随着制程的进步,这些晶体管的尺寸也愈来愈小,这样电流的通过便越发困难,对这些晶体管履行“写入”操作时,很有可能会出现写入失败的现象,这些写入失败必须由ECC校验机构来纠正。ECC校验机构一般是由闪存芯片控制器进行控制的,不过如果控制器性能不佳,加上出错的次数太多,那末控制器的工作效率自然便会大幅下落。据Dailytech取得的消息称,东芝32nm闪存当初也存在类似的问题,不过后来他们解决了这个问题;而Intel的34nm制程闪存乃至为了解决类似的问题而将量产日期后延了6个月之久。大部分Dailytech接触的SSD硬盘厂商均采取Indilinx公司的Barefoot闪存控制器与三星的32nm制程闪存芯片配合。而这类控制芯片在许多SSD硬盘产品上使用时都产生过类似的问题,为此Indilinx公司也在积极研究解决问题的方法。不过,查找故障的进程应当不会很快,看起来一直在苦苦等待SSD硬盘降价的朋友又得再等上几个月了。于此同时,三星自己也在研制自有闪存专用的三星闪存控制芯片,不过他们目前为止他们自己也还没有在自主品牌的SSD硬盘上启用32nm制程闪存芯片。三星表示:“在我们行将推出的新SSD硬盘产品中,我们与几家主要的PC OEM厂商通力合作,花了很多时间来开发,调剂新的闪存芯片控制器和硬盘固件等部份。”CNBeta编译原文:dailytech

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